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              長光系企業(yè)風采展示第十九期:吉光半導體科技有限公司——專注高端半導體激光芯片、激光器研發(fā)與服務


              【公司介紹】

              吉光半導體科技有限公司(簡稱:吉光半導體)成立于2020年6月,是吉林省政府、長春市政府、經開區(qū)政府與中國科學院長春光機所聯合投入14億元成立的高新技術企業(yè),并承建了國家半導體激光技術創(chuàng)新中心。公司現有建筑面積2.8萬平方米,一期潔凈廠房3500平方米,具有完備的廠務配套設施。

              【榮譽資質】

              公司曾獲國家級高新技術企業(yè),吉林省半導體激光產業(yè)創(chuàng)新中心、吉林省半導體激光科技創(chuàng)新中心依托單位,吉林省技術標準創(chuàng)新基地(半導體激光)建設單位、吉林省新型研發(fā)機構等多項榮譽資質。通過ISO9001、ISO14001、ISO45001三大體系認證。

               

              【技術服務】

              公司以高端半導體激光芯片和激光器的設計與制造為核心競爭力,建有國際先進的MOCVD外延生長、晶圓制備、解理/鍍膜、芯片封裝、測試表征、失效分析、可靠性驗證以及功能模塊等全流程工藝平臺和4-6英寸GaAs晶圓產品線、2-4英寸InP晶圓產品線及研發(fā)線,全面掌握半導體激光器芯片全套生產工藝技術。

                  1.MOCVD 外延生長具備自主開展多種材料體系,涵蓋2-6寸晶圓外延結構生長的能力;可自主生長出界面陡峭的GaAs、InP基三、四元材料,以及邊發(fā)射、垂直腔面發(fā)射等多種器件的外延結構;可自主表征外延結構的波長、組分、摻雜等信息

                  2.晶圓流片:光刻、刻蝕、介質膜沉積、臨時鍵合、減薄/拋光、全自動排巴、退巴。

               

                  3.離子注入

              類目

              規(guī)格

              注入晶圓尺寸

              4-6英寸及小片

              注入能量范圍

              30-380 keV (Single Charge)

              注入元素

              H+、He+

              注入角度

              0°-45°

              劑量范圍

              5e12-1e17ions/cm3

              溫度

              整晶圓:≤550℃、小片:300℃

                  4.腔面鍍膜:Si、Ta2O5 、Al2O3、Ti3O5、SiO2  ?可鍍高反膜HR和增透膜AR,反射率:0.01%-99.5%

                  5.濕法氧化:Al(Ga)As濕氮氧化,晶片尺寸:4寸、6寸及不規(guī)則小片均勻性良好,可及時檢測氧化孔徑大小

                  6.封裝

               

               

                

                                     

              【產品介紹】

               

              1.雙邊布拉格反射波導激光器

              波長:808nm、880nm、905nm、976nm

              功率:CW>6W  QCW>10W

              垂直發(fā)散角:<10℃,近圓形光斑

               

               

              特點:實現高峰值功率、極低發(fā)散角近圓形光束輸出

               

               

              2.高功率半導體激光芯片

              波長

              Wavelength

              780nm

              808nm

              808nm

              915nm

              輸出功率

              Optical Output power

              5W/7W

              2W/3W/5W/8W/10W

              35W

              12W/10W/18W

              工作模式

              Operation mode

              CW

              CW

              QCW

              CW

               

              波長

              Wavelength

              780nm

              808nm

              808nm

              976nm

              輸出功率

              Optical Output power

              50W/100W

              50W/100W

              200W

              300W

              工作模式

              Operation mode

              CW/QCW

              CW/QCW

              QCW

              QCW

               

                  3.光纖耦合模塊

              波長

              功率

              光纖芯徑

              455nm

              5W-1000W

              105μm、200μm

              525nm

              1W-100W

              50μm、105μm、200μm

              638nm

              1W-100W

              105μm、200μm

              780nm

              10W -200W

              105μm、200μm

              808nm

              25W -300W

              105μm、200μm

              915nm

              10W -300W

              105μm、200μm

              940nm

              10W -300W

              105μm、200μm

              976nm

              10W-450W

              105μm、200μm

              1470nm

              5W-100W

              200μm、400μm

              450nm-1470nm波長范圍可選,1W-1000W功率定制,支持波長鎖定,多波長混合應用,支持可插拔光纖結構,光纖探測,可見光指示等功能定制化。

               

              【未來愿景】

              以引領國家半導體激光產業(yè)發(fā)展、保障產業(yè)鏈安全自主可控為使命,突破制約我國半導體激光產業(yè)長遠發(fā)展關鍵技術瓶頸,解決半導體激光芯片“卡脖子”難題,成為我國光通信、智能感知和先進制造領域高質量發(fā)展的重要戰(zhàn)略科技力量。

               

              【聯系方式】

              公司地址:吉林省長春市經濟技術開發(fā)區(qū)淄博路1783-16號

              聯系方式:趙女士0431-85552059/+86-13147656157

              官方網站:jlight.net.cn/

              電子郵箱:[email protected]